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VN2210N3-G

VN2210N3-G Microchip Technology

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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details VN2210N3-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Supplier Device Package: TO-92-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA, Power Dissipation (Max): 740mW (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bag.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VN2210N3-G VN2210N3-G Microchip Technology 37315199119071720005559a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
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VN2210N3-G VN2210N3-G Microchip Technology 20005559A-3443295.pdf MOSFETs 100V 0.35Ohm
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VN2210N3-G VN2210N3-G Microchip Technology 20005559A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
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Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
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FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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