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VN2210N3-G

VN2210N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

20005559A.pdf Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 8A; 740mW; TO92
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO92
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 0.74W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
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Technische Details VN2210N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 740mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V.

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VN2210N3-G VN2210N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 20005559A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 8A; 740mW; TO92
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO92
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 0.74W
Drain current: 1.2A
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VN2210N3-G VN2210N3-G Hersteller : Microchip Technology 20005559A-3443295.pdf MOSFETs 100V 0.35Ohm
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Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
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