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VN2460N8-g

VN2460N8-g Microchip Technology

VN2460-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005994A.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 200MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
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Technische Details VN2460N8-g Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 600V 200MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VN2460N8-G VN2460N8-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005994a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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VN2460N8-G VN2460N8-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005994a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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VN2460N8-g VN2460N8-g Microchip Technology VN2460_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005994A.pdf MOSFETs 600V 20Ohm
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VN2460N8-g VN2460N8-g Microchip Technology VN2460-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005994A.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 200MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
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VN2460N8-G VN2460N8-G MICROCHIP VN2460-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005994A.pdf Description: MICROCHIP - VN2460N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 600 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 20
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 11 Stücke:
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VN2460N8-G VN2460N8-G MICROCHIP SUPRS03958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - VN2460N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 600 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.6
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Description: MOSFET N-CH 600V 200MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
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Description: MICROCHIP - VN2460N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 600 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 200
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 20
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN2460N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 600 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.6
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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