VP0106N3-G Microchip Technology
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Technische Details VP0106N3-G Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote VP0106N3-G nach Preis ab 1.03 EUR bis 1.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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VP0106N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -0.8A; 1W; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.25A Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -0.8A Power dissipation: 1W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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VP0106N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -0.8A; 1W; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.25A Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -0.8A Power dissipation: 1W |
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VP0106N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
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VP0106N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
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VP0106N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VP0106N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs 60V 8Ohm |
auf Bestellung 1364 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VP0106N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VP0106N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
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VP0106N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VP0106N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
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VP0106N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
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