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VP0106N3-G

VP0106N3-G Microchip Technology

154vp0106.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details VP0106N3-G Microchip Technology

Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V.

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VP0106N3-G VP0106N3-G Hersteller : Microchip Technology 154vp0106.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
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VP0106N3-G VP0106N3-G Hersteller : Microchip Technology 154vp0106.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
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VP0106N3-G VP0106N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY VP0106-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006658A.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -0.8A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.25A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 1W
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VP0106N3-G VP0106N3-G Hersteller : Microchip Technology 154vp0106.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
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VP0106N3-G VP0106N3-G Hersteller : Microchip Technology VP0106_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442619.pdf MOSFETs 60V 8Ohm
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VP0106N3-G VP0106N3-G Hersteller : Microchip Technology VP0106-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006658A.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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VP0106N3-G VP0106N3-G Hersteller : Microchip Technology 154vp0106.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
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