Technische Details VP0109N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VP0109N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 90 V, 250 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 90V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote VP0109N3-G nach Preis ab 1.61 EUR bis 2.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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VP0109N3-G | Microchip Technology |
 Description: MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: TO-92-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bag |
auf Bestellung 1063 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VP0109N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP0109N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 90 V, 250 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 90V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VP0109N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 28 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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VP0109N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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VP0109N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| VP0109N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Description: MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.09 EUR |
| 25+ | 1.76 EUR |
| 100+ | 1.61 EUR |
| VP0109N3-G |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VP0109N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 90 V, 250 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MICROCHIP - VP0109N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 90 V, 250 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 93+ | 2.7 EUR |
| 105+ | 2.21 EUR |
| 121+ | 1.78 EUR |
| 1000+ | 1.75 EUR |
| VP0109N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| VP0109N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| VP0109N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 90V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)