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VP0550N3G

VP0550N3G STX

VP0550.pdf
Produktcode: 33756
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Hersteller: STX
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Id, A: 0,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 125 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 40/ -
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VP0550N3-G VP0550N3-G Microchip Technology vp0550c082313.pdf Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.054A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 631 Stücke:
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80+2.19 EUR
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VP0550N3-G VP0550N3-G Microchip Technology vp0550c082313.pdf Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.054A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 401 Stücke:
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47+3.76 EUR
56+3.08 EUR
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VP0550N3-G VP0550N3-G Microchip Technology VP0550C082313.pdf MOSFETs 500V 125Ohm
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VP0550N3-G VP0550N3-G Microchip Technology VP0550-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006003A.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V
auf Bestellung 863 Stücke:
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6+4.05 EUR
25+3.39 EUR
100+3.07 EUR
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Description: MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V
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