VP2106N3-G Microchip Technology
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Technische Details VP2106N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VP2106N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 250 mA, 9 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm.
Weitere Produktangebote VP2106N3-G nach Preis ab 0.69 EUR bis 1.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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VP2106N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
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VP2106N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
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,TO-226_straightlead.jpg "VP2106N3-G") |
VP2106N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
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VP2106N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET 60V 12Ohm |
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VP2106N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.5A; 1W; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -0.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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VP2106N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.5A; 1W; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -0.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
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VP2106N3-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP2106N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 250 mA, 9 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm |
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VP2106N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
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VP2106N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
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