VP2106N3-G Microchip Technology
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 216+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.68 EUR |
| 3000+ | 0.61 EUR |
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Technische Details VP2106N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VP2106N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 250 mA, 9 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm.
Weitere Produktangebote VP2106N3-G nach Preis ab 0.76 EUR bis 1.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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VP2106N3-G | Microchip Technology |
 MOSFETs 60V 12Ohm |
auf Bestellung 3393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VP2106N3-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VP2106N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VP2106N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP2106N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 250 mA, 9 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm |
auf Bestellung 1931 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VP2106N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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VP2106N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| VP2106N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 60V 12Ohm
MOSFETs 60V 12Ohm
auf Bestellung 3393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.15 EUR |
| VP2106N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 1.18 EUR |
| 25+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.89 EUR |
| VP2106N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 134+ | 1.27 EUR |
| VP2106N3-G |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VP2106N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 250 mA, 9 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
Description: MICROCHIP - VP2106N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 250 mA, 9 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 179+ | 1.4 EUR |
| 188+ | 1.24 EUR |
| 200+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| VP2106N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| VP2106N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)