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VP2110K1-G

VP2110K1-G Microchip Technology

VP2110B082313.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 1149 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details VP2110K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - VP2110K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 mA, 12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm.

Weitere Produktangebote VP2110K1-G nach Preis ab 1.17 EUR bis 1.8 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VP2110K1-G VP2110K1-G MICROCHIP 2607058.pdf Description: MICROCHIP - VP2110K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 mA, 12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.8 EUR
167+1.39 EUR
183+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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VP2110K1-G VP2110K1-G MICROCHIP 2607058.pdf Description: MICROCHIP - VP2110K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 mA, 12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 1285 Stücke:
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VP2110K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 mA, 12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Hersteller: MICROCHIP
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