VP2206N3-G Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.57 EUR |
| 25+ | 3.78 EUR |
| 100+ | 3.43 EUR |
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Technische Details VP2206N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VP2206N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 640 mA, 0.75 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 640mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: VP2206, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote VP2206N3-G nach Preis ab 1.51 EUR bis 5.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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VP2206N3-G | Microchip Technology |
MOSFETs 60V 0.9Ohm |
auf Bestellung 1209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VP2206N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP2206N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 640 mA, 0.75 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 640mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: VP2206 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| VP2206N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.64A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 839 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| VP2206N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.64A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| VP2206N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 60V 0.9Ohm
MOSFETs 60V 0.9Ohm
auf Bestellung 1209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.63 EUR |
| 10+ | 4.44 EUR |
| 25+ | 3.8 EUR |
| 100+ | 3.47 EUR |
| 250+ | 3.45 EUR |
| 500+ | 3.44 EUR |
| 1000+ | 3.37 EUR |
| VP2206N3-G |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VP2206N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 640 mA, 0.75 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: VP2206
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MICROCHIP - VP2206N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 640 mA, 0.75 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: VP2206
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 45+ | 5.57 EUR |
| 55+ | 4.3 EUR |
| 100+ | 3.58 EUR |
| VP2206N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.64A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.64A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 111+ | 1.59 EUR |
| VP2206N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.64A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.64A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 89+ | 1.98 EUR |
| 90+ | 1.89 EUR |
| 96+ | 1.7 EUR |
| 97+ | 1.62 EUR |
| 101+ | 1.51 EUR |