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VP2206N3-G

VP2206N3-G Microchip Technology

VP2206_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-2887837.pdf Hersteller: Microchip Technology
MOSFET 60V 0.9Ohm
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Technische Details VP2206N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - VP2206N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 640 mA, 0.75 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 640mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: VP2206, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm.

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VP2206N3-G VP2206N3-G Hersteller : Microchip Technology VP2206%20E082313.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
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VP2206N3-G VP2206N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY vp2206.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -640mA; Idm: -4A; 740mW; TO92
Case: TO92
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -640mA
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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21+ 3.42 EUR
23+ 3.23 EUR
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VP2206N3-G VP2206N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY vp2206.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -640mA; Idm: -4A; 740mW; TO92
Case: TO92
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -640mA
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -4A
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VP2206N3-G VP2206N3-G Hersteller : MICROCHIP SUPRS03838-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - VP2206N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 640 mA, 0.75 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: VP2206
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
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