VP2206N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -640mA; Idm: -4A; 740mW; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -640mA
Pulsed drain current: -4A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 21+ | 3.5 EUR |
| 24+ | 3.03 EUR |
| 27+ | 2.66 EUR |
| 100+ | 2.59 EUR |
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Technische Details VP2206N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MICROCHIP - VP2206N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 640 mA, 0.75 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 640mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: VP2206, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote VP2206N3-G nach Preis ab 2.66 EUR bis 3.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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VP2206N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -640mA; Idm: -4A; 740mW; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -640mA Pulsed drain current: -4A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VP2206N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs 60V 0.9Ohm |
auf Bestellung 1209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VP2206N3-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP2206N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 640 mA, 0.75 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 640mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: VP2206 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VP2206N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V |
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