VS-10ETF10-M3 Vishay
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Technische Details VS-10ETF10-M3 Vishay
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 310 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V.
Weitere Produktangebote VS-10ETF10-M3 nach Preis ab 0.75 EUR bis 5.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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VS-10ETF10-M3 | Hersteller : Vishay |
 Rectifier Diode Switching 1KV 10A 310ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
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VS-10ETF10-M3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 310 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V |
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VS-10ETF10-M3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3 |
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