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VS-10ETF12-M3

VS-10ETF12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-10etf1m3.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
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Technische Details VS-10ETF12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 1200V 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 310 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VS-10ETF12-M3 VS-10ETF12-M3 Vishay Semiconductors vs-10etf1m3.pdf Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3
auf Bestellung 4109 Stücke:
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100+2.51 EUR
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