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VS-2EGH02-M3/5BT Vishay Semiconductors

vs-2egh02-m3.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
Rectifiers FREDS 2A- 200V - SMB-E3
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Technische Details VS-2EGH02-M3/5BT Vishay Semiconductors

Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 23 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V.

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VS-2EGH02-M3/5BT VS-2EGH02-M3/5BT Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2egh02-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
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