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VS-3C04EV07T-M3/I

VS-3C04EV07T-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-3c04ev07t-m3.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
auf Bestellung 4120 Stücke:
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Technische Details VS-3C04EV07T-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SIL CARB 650V 4A SLIMDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: SlimDPAK, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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VS-3C04EV07T-M3/I VS-3C04EV07T-M3/I Hersteller : Vishay Semiconductors vs-3c04ev07t-m3.pdf SiC Schottky Diodes SIC-G3-SLIMDPAK 2L
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VS-3C04EV07T-M3/I VS-3C04EV07T-M3/I Hersteller : VISHAY 4349287.pdf Description: VISHAY - VS-3C04EV07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 4 A, 12 nC, SlimDPAK
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SlimDPAK
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 39 Stücke:
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VS-3C04EV07T-M3/I VS-3C04EV07T-M3/I Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c04ev07t-m3.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
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