VS-3C10ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 3.13 EUR |
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Technische Details VS-3C10ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote VS-3C10ET07S2L-M3 nach Preis ab 3.12 EUR bis 8.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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VS-3C10ET07S2L-M3 | VISHAY |
Description: VISHAY - VS-3C10ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-263AB (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 29nC euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 804 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VS-3C10ET07S2L-M3 | Vishay Semiconductors |
SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A SM POWER SIC |
auf Bestellung 2929 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VS-3C10ET07S2L-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V |
auf Bestellung 2136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VS-3C10ET07S2L-M3 | VISHAY |
Description: VISHAY - VS-3C10ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-263AB (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 29nC euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 804 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| VS-3C10ET07S2L-M3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VS-3C10ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - VS-3C10ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 5.46 EUR |
| 500+ | 4.52 EUR |
| VS-3C10ET07S2L-M3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A SM POWER SIC
SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A SM POWER SIC
auf Bestellung 2929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.43 EUR |
| 10+ | 4.33 EUR |
| 100+ | 3.94 EUR |
| 500+ | 3.19 EUR |
| 800+ | 3.12 EUR |
| VS-3C10ET07S2L-M3 |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
auf Bestellung 2136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.57 EUR |
| 10+ | 5.65 EUR |
| 50+ | 4.4 EUR |
| 100+ | 4 EUR |
| VS-3C10ET07S2L-M3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VS-3C10ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - VS-3C10ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
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Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 8.57 EUR |
| 34+ | 6.94 EUR |
| 100+ | 5.46 EUR |
| 500+ | 4.52 EUR |