VS-3C10ET07T-M3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.46V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
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Technische Details VS-3C10ET07T-M3 VISHAY
Description: VISHAY - VS-3C10ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-220AC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Kapazitive Gesamtladung: 29nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote VS-3C10ET07T-M3 nach Preis ab 2.89 EUR bis 9.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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VS-3C10ET07T-M3 | Vishay Semiconductors |
SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A RDL POWER SIC |
auf Bestellung 1429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VS-3C10ET07T-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V |
auf Bestellung 3047 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VS-3C10ET07T-M3 | VISHAY |
Description: VISHAY - VS-3C10ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-220AC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 29nC euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| VS-3C10ET07T-M3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A RDL POWER SIC
SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A RDL POWER SIC
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.07 EUR |
| 10+ | 3.69 EUR |
| 100+ | 2.89 EUR |
| VS-3C10ET07T-M3 |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 9.92 EUR |
| 10+ | 8.91 EUR |
| 100+ | 7.29 EUR |
| 500+ | 6.21 EUR |
| 1000+ | 5.45 EUR |
| VS-3C10ET07T-M3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VS-3C10ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - VS-3C10ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 13 Stücke:
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