VS-3C12ET07T-M3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 83A
Kind of package: tube
auf Bestellung 50 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 11+ | 7.14 EUR |
| 15+ | 4.96 EUR |
| 16+ | 4.69 EUR |
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Technische Details VS-3C12ET07T-M3 VISHAY
Description: VISHAY - VS-3C12ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-220AC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Kapazitive Gesamtladung: 34nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote VS-3C12ET07T-M3 nach Preis ab 4.51 EUR bis 10.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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VS-3C12ET07T-M3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers SILICON CARBIDE DIODE - TO-220 |
auf Bestellung 1818 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VS-3C12ET07T-M3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VS-3C12ET07T-M3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-3C12ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-220AC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 34nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| VS-3C12ET07T-M3 | Hersteller : Vishay |
650 V Power SiC Gen 3 Merged PIN Schottky Diode, 12 A |
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