VS-3C20ET07S2L-M3 Vishay Semiconductors
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 15.26 EUR |
| 10+ | 13.06 EUR |
| 100+ | 10.88 EUR |
| 250+ | 10.44 EUR |
| 500+ | 9.61 EUR |
| 800+ | 8.98 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details VS-3C20ET07S2L-M3 Vishay Semiconductors
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote VS-3C20ET07S2L-M3 nach Preis ab 12.5 EUR bis 16.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
_Top.jpg "VS-3C20ET07S2L-M3") |
VS-3C20ET07S2L-M3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PINPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
auf Bestellung 663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
VS-3C20ET07S2L-M3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-3C20ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 53 nC, TO-263AB (D2PAK) Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 53nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
VS-3C20ET07S2L-M3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-3C20ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 53 nC, TO-263AB (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 53nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
VS-3C20ET07S2L-M3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
Produkt ist nicht verfügbar |