VS-GT100TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: MODULES IGBT - IAP IGBT
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Power - Max: 259 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
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Technische Details VS-GT100TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-GT100TS065N - IGBT-Modul, Halbbrücke, 96 A, 259 W, 175 °C, INT-A-PAK, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, Verlustleistung: 259W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: INT-A-PAK, Dauerkollektorstrom: 96A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote VS-GT100TS065N nach Preis ab 104.28 EUR bis 162.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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VS-GT100TS065N | Vishay Semiconductors |
IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VS-GT100TS065N | VISHAY |
Description: VISHAY - VS-GT100TS065N - IGBT-Modul, Halbbrücke, 96 A, 259 W, 175 °C, INT-A-PAK tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: 259W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: INT-A-PAK Dauerkollektorstrom: 96A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| VS-GT100TS065N |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 129.71 EUR |
| 10+ | 121.34 EUR |
| 105+ | 104.28 EUR |
| VS-GT100TS065N |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VS-GT100TS065N - IGBT-Modul, Halbbrücke, 96 A, 259 W, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 259W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 96A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - VS-GT100TS065N - IGBT-Modul, Halbbrücke, 96 A, 259 W, 175 °C, INT-A-PAK
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 96A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 2+ | 162.51 EUR |