VS-GT50YF120NT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MODULE 1200V 64A 231W
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 231 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
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Technische Details VS-GT50YF120NT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MODULE 1200V 64A 231W, Packaging: Box, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 64 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 231 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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VS-GT50YF120NT | Vishay Semiconductors |
IGBTs ECONO-4PACK IGBT MODULE |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| VS-GT50YF120NT |
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