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VS-SC240FA65 Vishay


vs-sc240fa65.pdf
Hersteller: Vishay
SiC Schottky Diodes SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 240 A
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Technische Details VS-SC240FA65 Vishay

Description: DIODE MOD SIC 650V 120A SOT-227, Packaging: Strip, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.61 V @ 120 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 650 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VS-SC240FA65 VS-SC240FA65 Vishay vs-sc240fa65.pdf Description: DIODE MOD SIC 650V 120A SOT-227
Packaging: Strip
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.61 V @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 650 V
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VS-SC240FA65 vs-sc240fa65.pdf
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Description: DIODE MOD SIC 650V 120A SOT-227
Packaging: Strip
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
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Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
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Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
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