Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > VS4V8BU1ART7R
VS4V8BU1ART7R

VS4V8BU1ART7R Rohm Semiconductor


datasheet?p=VS4V8BU1AR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 4.8VWM 11VC SMD2012
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 100A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4.8V (Max)
Supplier Device Package: SMD2012
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.85V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Power - Peak Pulse: 1100W (1.1kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 915 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+0.83 EUR
25+ 0.71 EUR
100+ 0.49 EUR
500+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details VS4V8BU1ART7R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - VS4V8BU1ART7R - TVS-Diode, Bidirektional, 4.8 V, 11 V, DSN2012, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DSN2012, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 4.85V, Qualifikation: -, Durchbruchspannung, max.: 6V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 4.8V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 1.1kW, TVS-Polarität: Bidirektional, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Klemmspannung, max.: 11V, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote VS4V8BU1ART7R nach Preis ab 0.29 EUR bis 0.88 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
VS4V8BU1ART7R VS4V8BU1ART7R Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=VS4V8BU1AR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key ESD Suppressors / TVS Diodes RASMID Series - Transient Voltage Suppressor - VS4V8BU1AR is a transient voltage suppressor with small mold package, suitable for surge protection.
auf Bestellung 12104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+0.88 EUR
10+ 0.74 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.33 EUR
2500+ 0.31 EUR
7000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
VS4V8BU1ART7R VS4V8BU1ART7R Hersteller : ROHM 2876640.pdf Description: ROHM - VS4V8BU1ART7R - TVS-Diode, Bidirektional, 4.8 V, 11 V, DSN2012
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DSN2012
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 4.85V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4.8V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.1kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 11V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
VS4V8BU1ART7R VS4V8BU1ART7R Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=VS4V8BU1AR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TVS DIODE 4.8VWM 11VC SMD2012
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 100A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4.8V (Max)
Supplier Device Package: SMD2012
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.85V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Power - Peak Pulse: 1100W (1.1kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar