VS4V8BU1ART7R Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 4.8VWM 11VC SMD2012
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1100W (1.1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Voltage - Breakdown (Min): 4.85V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SMD2012
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4.8V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 100A (8/20µs)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
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Technische Details VS4V8BU1ART7R Rohm Semiconductor
Description: ROHM - VS4V8BU1ART7R - TVS-Diode, Bidirektional, 4.8 V, 11 V, DSN2012, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DSN2012, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 4.85V, Qualifikation: -, Durchbruchspannung, max.: 6V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 4.8V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 1.1kW, TVS-Polarität: Bidirektional, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Klemmspannung, max.: 11V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote VS4V8BU1ART7R nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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VS4V8BU1ART7R | ROHM Semiconductor |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes RASMID Series - Transient Voltage Suppressor |
auf Bestellung 16908 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VS4V8BU1ART7R | ROHM |
Description: ROHM - VS4V8BU1ART7R - TVS-Diode, Bidirektional, 4.8 V, 11 V, DSN2012 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DSN2012 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 4.85V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 6V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 4.8V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 1.1kW TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 11V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VS4V8BU1ART7R | Rohm Semiconductor |
Description: TVS DIODE 4.8VWM 11VC SMD2012 Part Status: Active Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 0805 (2012 Metric) Packaging: Cut Tape (CT) Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 1100W (1.1kW) Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V Voltage - Breakdown (Min): 4.85V Bidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: SMD2012 Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4.8V (Max) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 100A (8/20µs) Applications: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Type: Zener |
auf Bestellung 8276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS4V8BU1ART7R |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
ESD Protection Diodes / TVS Diodes RASMID Series - Transient Voltage Suppressor
ESD Protection Diodes / TVS Diodes RASMID Series - Transient Voltage Suppressor
auf Bestellung 16908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.19 EUR |
| 10+ | 0.81 EUR |
| 100+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| 7000+ | 0.3 EUR |
| VS4V8BU1ART7R |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - VS4V8BU1ART7R - TVS-Diode, Bidirektional, 4.8 V, 11 V, DSN2012
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DSN2012
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 4.85V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4.8V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.1kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 11V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - VS4V8BU1ART7R - TVS-Diode, Bidirektional, 4.8 V, 11 V, DSN2012
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DSN2012
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 4.85V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4.8V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.1kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 11V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 181+ | 1.39 EUR |
| 263+ | 0.88 EUR |
| 387+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| 5000+ | 0.3 EUR |
| VS4V8BU1ART7R |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TVS DIODE 4.8VWM 11VC SMD2012
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1100W (1.1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Voltage - Breakdown (Min): 4.85V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SMD2012
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4.8V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 100A (8/20µs)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Type: Zener
Description: TVS DIODE 4.8VWM 11VC SMD2012
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1100W (1.1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Voltage - Breakdown (Min): 4.85V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SMD2012
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4.8V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 100A (8/20µs)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Type: Zener
auf Bestellung 8276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 1.57 EUR |
| 22+ | 0.96 EUR |
| 100+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| 2000+ | 0.39 EUR |