VS4V8BU1ART7R Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: TVS DIODE 4.8VWM 11VC SMD2012
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 100A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4.8V (Max)
Supplier Device Package: SMD2012
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.85V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Power - Peak Pulse: 1100W (1.1kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 4896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 19+ | 0.93 EUR |
| 28+ | 0.65 EUR |
| 100+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
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Technische Details VS4V8BU1ART7R Rohm Semiconductor
Description: ROHM - VS4V8BU1ART7R - TVS-Diode, Bidirektional, 4.8 V, 11 V, DSN2012, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DSN2012, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 4.85V, Qualifikation: -, Durchbruchspannung, max.: 6V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 4.8V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 1.1kW, TVS-Polarität: Bidirektional, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Klemmspannung, max.: 11V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote VS4V8BU1ART7R nach Preis ab 0.25 EUR bis 0.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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VS4V8BU1ART7R | Hersteller : ROHM Semiconductor |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes RASMID Series - Transient Voltage Suppressor - VS4V8BU1AR is a transient voltage suppressor with small mold package, suitable for surge protection. |
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VS4V8BU1ART7R | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - VS4V8BU1ART7R - TVS-Diode, Bidirektional, 4.8 V, 11 V, DSN2012 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DSN2012 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 4.85V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 6V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 4.8V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 1.1kW TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 11V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VS4V8BU1ART7R | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TVS DIODE 4.8VWM 11VC SMD2012 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 100A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4.8V (Max) Supplier Device Package: SMD2012 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 4.85V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V Power - Peak Pulse: 1100W (1.1kW) Power Line Protection: No Part Status: Active |
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