Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > VT6M1T2CR
VT6M1T2CR

VT6M1T2CR Rohm Semiconductor

datasheet?p=VT6M1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT6
Part Status: Last Time Buy
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details VT6M1T2CR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - VT6M1T2CR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 100 mA, 100 mA, 2.5 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.5ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.5ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote VT6M1T2CR nach Preis ab 0.10 EUR bis 0.68 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
VT6M1T2CR VT6M1T2CR Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=VT6M1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT6
Part Status: Last Time Buy
auf Bestellung 67311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+0.67 EUR
36+0.50 EUR
100+0.28 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6M1T2CR VT6M1T2CR Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=VT6M1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
auf Bestellung 80369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.68 EUR
10+0.50 EUR
100+0.29 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
8000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6M1T2CR VT6M1T2CR Hersteller : ROHM ROHMS25934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - VT6M1T2CR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 100 mA, 100 mA, 2.5 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6M1T2CR VT6M1T2CR Hersteller : ROHM ROHMS25934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - VT6M1T2CR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 100 mA, 100 mA, 2.5 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6M1 T2CR Hersteller : ROHM SOT26
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH