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Technische Details W66AP6NBQAFJ Winbond
Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 200-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC), Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4, Clock Frequency: 1.6 GHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5), Write Cycle Time - Word, Page: 18ns, Memory Interface: LVSTL_11, Access Time: 3.6 ns, Memory Organization: 64M x 16.
Weitere Produktangebote W66AP6NBQAFJ nach Preis ab 6.45 EUR bis 9.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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W66AP6NBQAFJ | Hersteller : Winbond Electronics |
 Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGAPackaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 1.6 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 |
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