WG30N65HAW1Q WEEN SEMICONDUCTORS

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30N65HAW1Q - IGBT, 60 A, 1.55 V, 312 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: TBA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Verlustleistung: 312W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 60A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.