WG30R140W1Q WEEN SEMICONDUCTORS
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R140W1Q - IGBT, 60 A, 1.8 V, 357 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Technische Details WG30R140W1Q WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R140W1Q - IGBT, 60 A, 1.8 V, 357 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: TBA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 60A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).