WG50N65DHWQ WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Hersteller: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Trans IGBT Chip N-CH 650V 91A 278mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 600+ | 3.69 EUR |
| 3000+ | 3.52 EUR |
| 6000+ | 3.36 EUR |
| 12000+ | 3.2 EUR |
| 15000+ | 3.03 EUR |
| 24000+ | 2.88 EUR |
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Technische Details WG50N65DHWQ WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Description: IGBT TRENCH FS 650V 91A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 105 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 66ns/163ns, Switching Energy: 1.7mJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 160 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 91 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 278 W.
Weitere Produktangebote WG50N65DHWQ nach Preis ab 3.39 EUR bis 10.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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WG50N65DHWQ | WeEn Semiconductors |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 91A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 105 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 66ns/163ns Switching Energy: 1.7mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 91 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 278 W |
auf Bestellung 411 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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WG50N65DHWQ | WeEn Semiconductors |
IGBTs WG50N65DHW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
auf Bestellung 538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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WG50N65DHWQ | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG50N65DHWQ - IGBT, 91 A, 1.65 V, 278 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V Verlustleistung: 278W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 91A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| WG50N65DHWQ |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: IGBT TRENCH FS 650V 91A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/163ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 91 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 278 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 91A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/163ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 91 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 278 W
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.71 EUR |
| 30+ | 4.56 EUR |
| 120+ | 3.83 EUR |
| WG50N65DHWQ |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
IGBTs WG50N65DHW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
IGBTs WG50N65DHW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.9 EUR |
| 10+ | 4.96 EUR |
| 100+ | 4.08 EUR |
| 600+ | 3.88 EUR |
| 1200+ | 3.58 EUR |
| 3000+ | 3.39 EUR |
| WG50N65DHWQ |
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Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG50N65DHWQ - IGBT, 91 A, 1.65 V, 278 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 278W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 91A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG50N65DHWQ - IGBT, 91 A, 1.65 V, 278 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 278W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 91A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 10.15 EUR |
| 45+ | 5.25 EUR |
| 100+ | 3.99 EUR |



