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WG50N65HFW1Q

WG50N65HFW1Q WeEn Semiconductors


WG50N65HFW1_Final_data_sheet_20230927-3436667.pdf Hersteller: WeEn Semiconductors
IGBTs WG50N65HFW1/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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Technische Details WG50N65HFW1Q WeEn Semiconductors

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 227W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Power dissipation: 227W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 150A, Mounting: THT, Gate charge: 138nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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WG50N65HFW1Q Hersteller : WeEn Semiconductors Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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