WG50N65HFW1Q WeEn Semiconductors
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Technische Details WG50N65HFW1Q WeEn Semiconductors
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 227W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Power dissipation: 227W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of package: tube, Pulsed collector current: 150A, Gate charge: 138nC, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode.
Weitere Produktangebote WG50N65HFW1Q
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| WG50N65HFW1Q | WeEn Semiconductors |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 227W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 227W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 150A Gate charge: 138nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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| WG50N65HFW1Q |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Gate charge: 138nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Gate charge: 138nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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