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WM02DN70A

WM02DN70A WAYON


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D28768937500D6&compId=WM02DN70A.pdf?ci_sign=926a7a92c713b713f2c6d1ee145cec43841061be Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 8.8nC
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
350+0.2 EUR
435+0.16 EUR
463+0.15 EUR
527+0.14 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 125
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Technische Details WM02DN70A WAYON

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 2W, Case: TSSOP8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 13.5mΩ, Gate charge: 8.8nC, Drain current: 7A, Pulsed drain current: 28A, Gate-source voltage: ±10V, Version: ESD, Drain-source voltage: 20V, Kind of channel: enhancement, Semiconductor structure: common drain, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WM02DN70A WM02DN70A Hersteller : WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D28768937500D6&compId=WM02DN70A.pdf?ci_sign=926a7a92c713b713f2c6d1ee145cec43841061be Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 8.8nC
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
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