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WM10N02G

WM10N02G WAYON


Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 0.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2944 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
432+0.17 EUR
940+0.076 EUR
2243+0.032 EUR
2500+0.029 EUR
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Mindestbestellmenge: 193
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Technische Details WM10N02G WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 0.2A, Power dissipation: 0.2W, Case: SOT323, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 1.5nC, Pulsed drain current: 0.5A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WM10N02G WM10N02G Hersteller : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 0.5A
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