WMB010N04LG4 WAYON
Hersteller: WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Case: PDFN5060-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 30+ | 2.39 EUR |
| 100+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 3000+ | 0.75 EUR |
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Technische Details WMB010N04LG4 WAYON
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate charge: 118nC, On-state resistance: 1mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 40V, Power dissipation: 114W, Drain current: 268A, Pulsed drain current: 1072A, Case: PDFN5060-8, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote WMB010N04LG4 nach Preis ab 2.39 EUR bis 2.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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WMB010N04LG4 | Hersteller : WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 118nC On-state resistance: 1mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 114W Drain current: 268A Pulsed drain current: 1072A Case: PDFN5060-8 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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