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WMJ028N10HGS

WMJ028N10HGS WAYON


Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 228A; Idm: 912A; 320.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 228A
Pulsed drain current: 912A
Power dissipation: 320.5W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 262 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.7 EUR
29+2.55 EUR
32+2.25 EUR
36+2.02 EUR
90+1.96 EUR
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Technische Details WMJ028N10HGS WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 228A; Idm: 912A; 320.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 228A, Pulsed drain current: 912A, Power dissipation: 320.5W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 145nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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WMJ028N10HGS WMJ028N10HGS Hersteller : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 228A; Idm: 912A; 320.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 228A
Pulsed drain current: 912A
Power dissipation: 320.5W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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