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WMM048NV6HG4

WMM048NV6HG4 WAYON


Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 110A; Idm: 440A; 104.2W; TO263
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.5nC
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 65V
Power dissipation: 104.2W
Pulsed drain current: 440A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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70+1.02 EUR
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Technische Details WMM048NV6HG4 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 110A; Idm: 440A; 104.2W; TO263, Case: TO263, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 28.5nC, On-state resistance: 5.2mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Drain current: 110A, Drain-source voltage: 65V, Power dissipation: 104.2W, Pulsed drain current: 440A, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote WMM048NV6HG4 nach Preis ab 1.02 EUR bis 1.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WMM048NV6HG4 WMM048NV6HG4 Hersteller : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 110A; Idm: 440A; 104.2W; TO263
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.5nC
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 65V
Power dissipation: 104.2W
Pulsed drain current: 440A
Kind of channel: enhancement
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