
WNSC06650T6J WeEn Semiconductors

SiC Schottky Diodes WNSC06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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Anzahl | Preis |
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1+ | 4.65 EUR |
10+ | 3.85 EUR |
100+ | 3.08 EUR |
500+ | 2.59 EUR |
1000+ | 2.48 EUR |
3000+ | 2.46 EUR |
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Technische Details WNSC06650T6J WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: 5-DFN (8x8), Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote WNSC06650T6J
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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WNSC06650T6J | Hersteller : WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WNSC06650T6J | Hersteller : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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WNSC06650T6J | Hersteller : WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WNSC06650T6J | Hersteller : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
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WNSC06650T6J | Hersteller : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DFN8x8N Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 36A Kind of package: reel; tape |
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