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WNSC2D10650WQ

WNSC2D10650WQ WeEn Semiconductors


WNSC2D10650W-2902707.pdf Hersteller: WeEn Semiconductors
SiC Schottky Diodes WNSC2D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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Technische Details WNSC2D10650WQ WeEn Semiconductors

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.

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WNSC2D10650WQ WNSC2D10650WQ Hersteller : WeEn Semiconductors WNSC2D10650W.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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