WNSC2D10650WQ WEEN SEMICONDUCTORS
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 45+ | 5.59 EUR |
| 75+ | 3.13 EUR |
| 100+ | 2.3 EUR |
| 500+ | 2.11 EUR |
| 1000+ | 1.93 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details WNSC2D10650WQ WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 14nC, rohsCompliant: NO, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote WNSC2D10650WQ
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
WNSC2D10650WQ | WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
WNSC2D10650WQ | WeEn Semiconductors |
SiC Schottky Diodes WNSC2D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| WNSC2D10650WQ |
|
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| WNSC2D10650WQ |
|
Hersteller: WeEn Semiconductors
SiC Schottky Diodes WNSC2D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
SiC Schottky Diodes WNSC2D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH