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Technische Details XP10C150M YAGEO XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP10C150 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote XP10C150M nach Preis ab 0.49 EUR bis 3.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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XP10C150M | Hersteller : YAGEO XSEMI |
 Description: MOSFET N/P-CH 100V 2.5A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 50V, 3040pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V, 160mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V, 51.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
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XP10C150M | Hersteller : XSemi |
MOSFET Complementary N ch + P ch 100V/-1 |
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XP10C150M | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP10C150 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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XP10C150M | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP10C150 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| XP10C150M | Hersteller : X-Semi (YAGEO) |
N-channel MOSFET |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP10C150M | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 50V, 3040pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V, 160mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V, 51.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
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