auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.86 EUR |
| 10+ | 2.94 EUR |
| 100+ | 2.75 EUR |
| 500+ | 2.69 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details XP10N3R8IT YAGEO XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R8IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.7 A, 0.00388 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 67.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.92W, Bauform - Transistor: TO-220CFM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP10N3R8 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00388ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote XP10N3R8IT nach Preis ab 1.03 EUR bis 6.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP10N3R8IT | Hersteller : YAGEO XSEMI |
 Description: FET N-CH 100V 67.7A TO220CFMPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220CFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
XP10N3R8IT | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R8IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67.7 A, 0.00388 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.92W Bauform - Transistor: TO-220CFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP10N3R8 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00388ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
| XP10N3R8IT | Hersteller : X-Semi (YAGEO) |
N-channel MOSFET |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|