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Technische Details XP10N3R8P YAGEO XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R8P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 3880 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 132A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP10N3R8 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3880µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote XP10N3R8P nach Preis ab 1.09 EUR bis 12.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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XP10N3R8P | Hersteller : YAGEO XSEMI |
 Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V |
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XP10N3R8P | Hersteller : XSemi |
MOSFET N-CH 100V 130 A TO-220 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP10N3R8P | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R8P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 3880 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 132A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP10N3R8 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3880µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| XP10N3R8P | Hersteller : X-Semi (YAGEO) |
N-channel MOSFET |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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