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XP10N3R8P

XP10N3R8P YAGEO XSEMI

XP10N3R8P.pdf Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V
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Technische Details XP10N3R8P YAGEO XSEMI

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.88mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 80 V.

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XP10N3R8P XP10N3R8P Hersteller : XSemi XP10N3R8P-3132712.pdf MOSFET N-CH 100V 130 A TO-220
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XP10N3R8P XP10N3R8P Hersteller : YAGEO XSemi XP10N3R8P-3367834.pdf MOSFET N-CH 100V 130 A TO-220
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