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XP10NA011J

XP10NA011J YAGEO XSemi

XP10NA011J.pdf
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 100V 48. 5A TO-251
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10+0.92 EUR
80+0.77 EUR
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Technische Details XP10NA011J YAGEO XSemi

Description: YAGEO XSEMI - XP10NA011J - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48.5 A, 0.011 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.13W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP10NA011 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote XP10NA011J nach Preis ab 0.51 EUR bis 5.99 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
XP10NA011J XP10NA011J YAGEO XSEMI XP10NA011J.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 48.5A TO251S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.15 EUR
80+0.93 EUR
160+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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XP10NA011J XP10NA011J YAGEO XSEMI XP10NA011J.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP10NA011J - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48.5 A, 0.011 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.13W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10NA011 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.93 EUR
92+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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XP10NA011J XP10NA011J XSemi XP10NA011J-3132645.pdf MOSFET N-CH 100V 48. 5A TO-251
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.99 EUR
10+5.02 EUR
25+4.76 EUR
100+4.06 EUR
250+3.86 EUR
500+3.62 EUR
1000+3.09 EUR
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XP10NA011J X-Semi (YAGEO) id-9562449-xp10na011j.pdf N-channel MOSFET
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
347+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 347 Stücke
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 48.5A TO251S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W (Ta), 50W (Tc)
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 80 V
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Description: YAGEO XSEMI - XP10NA011J - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48.5 A, 0.011 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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Verlustleistung: 1.13W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
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Hersteller: X-Semi (YAGEO)
N-channel MOSFET
auf Bestellung 4000 Stücke:
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347+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 347 Stücke
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