Produkte > YAGEO XSEMI > XP10TN135N

XP10TN135N YAGEO XSemi

Name: XP10TN135N
Brand: YAGEO XSemi
SKU: 26074204-4
Price: 2.94 EUR
Availability: InStock

Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 100V 2.1 A SOT-23

auf Bestellung 2834 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
3+	1.17 EUR
10+	0.77 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.3 EUR
3000+	0.15 EUR
6000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details XP10TN135N YAGEO XSemi

Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.38W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP10TN135N Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote XP10TN135N nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.36 EUR

Foto

Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Privatkunde

XP10TN135N

YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

207+	1.21 EUR
258+	0.9 EUR
384+	0.56 EUR
547+	0.39 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 207 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP10TN135N

YAGEO XSEMI

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

207+	1.21 EUR
258+	0.9 EUR
384+	0.56 EUR
547+	0.39 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 207 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP10TN135N

YAGEO XSEMI

Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V

auf Bestellung 562 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.36 EUR
24+	0.9 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP10TN135N

X-Semi (YAGEO)

Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.1A 3-Pin SOT-23

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP10TN135N

Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP10TN135N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP10TN135N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
207+	1.21 EUR
258+	0.9 EUR
384+	0.56 EUR
547+	0.39 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 207 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP10TN135N

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
207+	1.21 EUR
258+	0.9 EUR
384+	0.56 EUR
547+	0.39 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 207 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP10TN135N

Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V

auf Bestellung 562 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
16+	1.36 EUR
24+	0.9 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP10TN135N

Hersteller: X-Semi (YAGEO)
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.1A 3-Pin SOT-23

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
3000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH