XP152A11E5MR-G Torex Semiconductor
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Technische Details XP152A11E5MR-G Torex Semiconductor
Description: TOREX - XP152A11E5MR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 700 mA, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP152, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.
Weitere Produktangebote XP152A11E5MR-G
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XP152A11E5MR-G | Hersteller : TOREX |
 Description: TOREX - XP152A11E5MR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 700 mA, 0.2 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP152 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
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XP152A11E5MR-G | Hersteller : TOREX |
Description: TOREX - XP152A11E5MR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 700 mA, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP152 productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
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XP152A11E5MR-G | Hersteller : TOREX |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.7A; Idm: -2.8A; 0.5W Mounting: SMD Case: SOT23-3 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -2.8A Drain-source voltage: -30V Drain current: -700mA On-state resistance: 0.45Ω Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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XP152A11E5MR-G | Hersteller : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET P-CH 30V 700MA SOT23 |
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XP152A11E5MR-G | Hersteller : TOREX |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.7A; Idm: -2.8A; 0.5W Mounting: SMD Case: SOT23-3 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -2.8A Drain-source voltage: -30V Drain current: -700mA On-state resistance: 0.45Ω Type of transistor: P-MOSFET |
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