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XP162A11C0PR-G

XP162A11C0PR-G Torex Semiconductor

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Hersteller: Torex Semiconductor
MOSFETs Power MOSFET, -30V, 2.5A, P-Type, SOT-89
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Technische Details XP162A11C0PR-G Torex Semiconductor

Description: TOREX - XP162A11C0PR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP162, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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XP162A11C0PR-G XP162A11C0PR-G Hersteller : TOREX 3118341.pdf Description: TOREX - XP162A11C0PR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP162
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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XP162A11C0PR-G XP162A11C0PR-G Hersteller : Torex Semiconductor Ltd XP162A11C0PR.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT89
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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