XP162A11C0PR-G Torex Semiconductor
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Technische Details XP162A11C0PR-G Torex Semiconductor
Description: TOREX - XP162A11C0PR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP162, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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XP162A11C0PR-G | Hersteller : TOREX |
 Description: TOREX - XP162A11C0PR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP162 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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XP162A11C0PR-G | Hersteller : TOREX |
Description: TOREX - XP162A11C0PR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP162 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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| XP162A11C0PR-G | Hersteller : TOREX |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -10A; 2W; SOT89-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.5A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 2W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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XP162A11C0PR-G | Hersteller : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Supplier Device Package: SOT-89 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V |
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| XP162A11C0PR-G | Hersteller : TOREX |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -10A; 2W; SOT89-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.5A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 2W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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