XP202A0003MR-G Torex Semiconductor Ltd
Hersteller: Torex Semiconductor Ltd
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 1.78 EUR |
| 15+ | 1.2 EUR |
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Technische Details XP202A0003MR-G Torex Semiconductor Ltd
Description: TOREX - XP202A0003MR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP202, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote XP202A0003MR-G nach Preis ab 0.65 EUR bis 2.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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XP202A0003MR-G | Hersteller : Torex Semiconductor |
MOSFETs Power MOSFET, -30V, 3A, P-Type, SOT-23 |
auf Bestellung 6007 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP202A0003MR-G | Hersteller : TOREX |
Description: TOREX - XP202A0003MR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP202 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
auf Bestellung 2825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP202A0003MR-G | Hersteller : TOREX |
Description: TOREX - XP202A0003MR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP202 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP202A0003MR-G | Hersteller : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V |
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