XP233N0501TR-G TOREX
Hersteller: TOREXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.5A; Idm: 1A; 0.4W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 705+ | 0.1 EUR |
| 1010+ | 0.071 EUR |
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| 1440+ | 0.05 EUR |
| 1505+ | 0.048 EUR |
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Technische Details XP233N0501TR-G TOREX
Description: TOREX - XP233N0501TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: TO-236, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP23, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote XP233N0501TR-G nach Preis ab 0.045 EUR bis 0.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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XP233N0501TR-G | Hersteller : TOREX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.5A; Idm: 1A; 0.4W; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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XP233N0501TR-G | Hersteller : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP233N0501TR-G | Hersteller : Torex Semiconductor |
MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 0.5A / SOT-23 |
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XP233N0501TR-G | Hersteller : TOREX |
Description: TOREX - XP233N0501TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm |
auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP233N0501TR-G | Hersteller : TOREX |
Description: TOREX - XP233N0501TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP233N0501TR-G | Hersteller : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
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