XP2N1K2EN1 YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP2N1K2E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: To Be Advised.