| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.69 EUR |
| 10+ | 0.42 EUR |
| 100+ | 0.26 EUR |
| 500+ | 0.23 EUR |
| 1000+ | 0.18 EUR |
| 3000+ | 0.14 EUR |
| 6000+ | 0.13 EUR |
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Technische Details XP2P038N YAGEO XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.38W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP2P038 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote XP2P038N nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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XP2P038N | YAGEO XSEMI |
 Description: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.38W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2P038 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP2P038N | YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.38W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP2P038 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| XP2P038N |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
Description: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 297+ | 0.84 EUR |
| 449+ | 0.51 EUR |
| 855+ | 0.25 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| 1205+ | 0.18 EUR |
| XP2P038N |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Description: YAGEO XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 297+ | 0.84 EUR |
| 449+ | 0.51 EUR |
| 855+ | 0.25 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| 1205+ | 0.18 EUR |