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XP3N028EN

XP3N028EN YAGEO XSemi

XP3N028EN-3367911.pdf
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 5.4A SOT-23S
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Technische Details XP3N028EN YAGEO XSemi

Description: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP3N028E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
XP3N028EN XP3N028EN YAGEO XSEMI XP3N028EN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2995 Stücke:
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284+0.88 EUR
435+0.54 EUR
870+0.25 EUR
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XP3N028EN XP3N028EN YAGEO XSEMI XP3N028EN.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
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Hersteller: YAGEO XSEMI
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