XP3N1R8MT YAGEO XSEMI
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 1890 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: To Be Advised
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Technische Details XP3N1R8MT YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 1890 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 165A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP3N1R8 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote XP3N1R8MT nach Preis ab 0.79 EUR bis 2.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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XP3N1R8MT | YAGEO XSemi |
MOSFETs N-CH 30V 40.6 A PMPAK-5x6 |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP3N1R8MT | YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 1890 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 165A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N1R8 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| XP3N1R8MT |
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Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 40.6 A PMPAK-5x6
MOSFETs N-CH 30V 40.6 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.57 EUR |
| 10+ | 1.81 EUR |
| 100+ | 1.24 EUR |
| 500+ | 0.99 EUR |
| 1000+ | 0.98 EUR |
| 3000+ | 0.79 EUR |
| XP3N1R8MT |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 1890 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: Y-EX
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Produktpalette: XP3N1R8 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: To Be Advised
Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 1890 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 96+ | 2.62 EUR |
| 98+ | 2.39 EUR |
| 100+ | 2.17 EUR |