Produkte > YAGEO XSEMI > XP3N5R0H

XP3N5R0H YAGEO XSemi

Name: XP3N5R0H
Brand: YAGEO XSemi
SKU: 26112873-4
Price: 1 EUR
Availability: InStock

Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 30V 62A TO-252

auf Bestellung 2996 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
2+	2.52 EUR
10+	2.08 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.12 EUR
3000+	1.05 EUR
6000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details XP3N5R0H YAGEO XSemi

Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.005 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: XP3N5R0 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote XP3N5R0H

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis ohne MwSt
	XP3N5R0H	Hersteller : YAGEO XSEMI	Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.005 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: XP3N5R0 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)
	XP3N5R0H	Hersteller : YAGEO XSEMI	Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.005 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: XP3N5R0 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)