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XP3N5R0M

XP3N5R0M YAGEO XSemi


XP3N5R0M-3367873.pdf Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 17.4 A SO-8
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Technische Details XP3N5R0M YAGEO XSemi

Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP3N5R0 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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XP3N5R0M XP3N5R0M Hersteller : YAGEO XSEMI XP3N5R0M.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
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XP3N5R0M XP3N5R0M Hersteller : YAGEO XSEMI XP3N5R0M.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
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