| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 1.01 EUR |
| 10+ | 0.62 EUR |
| 100+ | 0.39 EUR |
| 500+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| 3000+ | 0.21 EUR |
| 6000+ | 0.2 EUR |
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Technische Details XP3N9R5AH YAGEO XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 9500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP3N9R5A Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote XP3N9R5AH nach Preis ab 1.12 EUR bis 3.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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XP3N9R5AH | YAGEO XSEMI |
 Description: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V |
auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP3N9R5AH | YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 9500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP3N9R5A Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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XP3N9R5AH | YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 9500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP3N9R5A Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| XP3N9R5AH |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Description: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.31 EUR |
| 10+ | 2.11 EUR |
| 100+ | 1.42 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| XP3N9R5AH |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 9500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: To Be Advised
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 9500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| XP3N9R5AH |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 9500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: To Be Advised
Description: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 9500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)