auf Bestellung 2989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.70 EUR |
| 10+ | 2.55 EUR |
| 100+ | 1.81 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |
| 1000+ | 1.34 EUR |
| 3000+ | 1.29 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details XP4NAR95CMT-A YAGEO XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 264A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP4NAR95 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote XP4NAR95CMT-A nach Preis ab 4.09 EUR bis 10.40 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
XP4NAR95CMT-A | Hersteller : YAGEO XSEMI |
 Description: MOSFET N-CH 45V 58A 100A PMPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8880 pF @ 30 V |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
XP4NAR95CMT-A | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 264A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4NAR95 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
XP4NAR95CMT-A | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 264A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4NAR95 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
XP4NAR95CMT-A | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: MOSFET N-CH 45V 58A 100A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8880 pF @ 30 V |
Produkt ist nicht verfügbar |